已有策略通過(guò)在前驅(qū)體墨水中添加分子（添加劑）或作為額外層（鈍化劑）來(lái)提高PSCs的穩(wěn)定性，但含硫基添加劑在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制造中的潛力尚未充分探索。(此前曾報(bào)道锍基材料穩(wěn)定性高達(dá)9W多小時(shí))
來(lái)自西班牙巴斯克材料應(yīng)用中心（BCMaterials）Samrana Kazim & Shahzada Ahmad，以及來(lái)自華中科技大學(xué)王鳴魁教授 & 李雄杰團(tuán)隊(duì)研究了含硫多功能添加劑對(duì)提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池效率和濕度穩(wěn)定性的影響。文章的創(chuàng)新點(diǎn)在于揭示了硫雜原子含銨-酰胺鹽對(duì)甲酰胺基鈣鈦礦吸收層的光電物理和器件性能的影響，并通過(guò)實(shí)時(shí)和納米尺度監(jiān)測(cè)技術(shù)，包括透射紅外表征，推斷出是濕度吸附而非質(zhì)子遷移在鈣鈦礦表面導(dǎo)致鈣鈦礦降解。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，經(jīng)過(guò)ISO-Br和ISO-I處理的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池顯示出更高的結(jié)晶度和更長(zhǎng)的壽命衰減，實(shí)現(xiàn)了25.14%的高光電轉(zhuǎn)換效率（PCE），相較于對(duì)照組的22.49%有所提高。此外，改性后的PSCs顯示出改善的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，在1000小時(shí)后保持了超過(guò)99.6%的初始PCE。
圖1：a) 使用的添加劑的分子結(jié)構(gòu)，b) 對(duì)照PSC器件、ISO-I（1.5 wt.%）處理和ISO-Br（2.0 wt.%）處理PSC器件的J-V曲線（活性面積為0.06 cm2），c) 在氮?dú)夥諊?0°C的1-sun照明下設(shè)備的最大功率點(diǎn)跟蹤。
圖2：a) 穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光，b) 時(shí)間分辨光致發(fā)光曲線。飛秒瞬態(tài)吸收光譜在0.1到1000皮秒的早期延遲時(shí)間下對(duì)c) 對(duì)照鈣鈦礦、d) ISO-I和e) ISO-Br改性鈣鈦礦進(jìn)行探測(cè)。樣品被激發(fā)于500納米（2.48 eV）的激光脈沖，能量密度為0.7 μJ cm2。f) 在764納米處探測(cè)的光漂白動(dòng)力學(xué)延遲，展示了三種鈣鈦礦樣品的動(dòng)力學(xué)，插圖顯示了短時(shí)間延遲（約5皮秒）的動(dòng)力學(xué)。
圖3：Kelvin Probe Force Microscopy分析。a) 草圖展示了樣品在手套箱和濕度室之間的交換。對(duì)照組、ISO-Br處理和ISO-I處理鈣鈦礦半電池在85%濕度下暴露24小時(shí)前后的拓?fù)鋱D（b,d,f）和計(jì)算的工作函數(shù)（c,e,g）。h) 粗糙度和i) 工作函數(shù)變化的對(duì)照組、ISO-Br和ISO-I樣品在濕度暴露前后的變化及其誤差條。
圖4：質(zhì)子遷移分析。a) ISO-Br處理的Cs0.05MA0.05FA0.9PbI3薄膜在暴露于43%相對(duì)濕度的D2O前后的IR光譜（t = 0小時(shí)，黑線和t = 124小時(shí)，紅線）。b) 對(duì)照組、ISO-Br處理和ISO-I處理的Cs0.05MA0.05FA0.9PbI3樣品暴露于D2O蒸汽（RH = 43%）在室溫下的相對(duì)H/D組成（m(t)）。插圖顯示了短時(shí)間暴露時(shí)的變化，實(shí)線根據(jù)擴(kuò)散模型獲得最佳擬合。c) ISO-Br和d) ISO-I處理的Cs0.05MA0.05FA0.9PbI3薄膜暴露于D2O（RH = 43%）的IR光譜
